内存产品种类繁多，按型号大致可分为如下几类：

SDRAM：同步动态随机存储器。SDRAM 是使用一个时钟信号来同步所有存储芯片的输入和输出信号的一种动态随机存储技术。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。

DDR：DDR SDRAM是新一代SDR产品。DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR2：DDR2 SDRAM是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力。

FB-DIMM：FB-DIMM是Intel在DDR2、DDR3的基础上发展出来的一种新型内存模组与互联架构，FB-DIMM可以极大地提升系统内存带宽并且极大地增加内存最大容量。FB-DIMM技术可以在内存频率相同的情况下目前能提供四倍于普通内存的带宽，并且能支持的最大内存容量也达到了普通内存的24倍。

DDR3：DDR3内存采用了8bit预取设计，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，但各自均有自己的规格，超出其规格，容易造成内存损坏。按电压来分

SDRAM内存一般工作电压都在3.3伏左右，上下浮动额度不超过0.3伏；

DDR SDRAM内存一般工作电压都在2.5伏左右，上下浮动额度不超过0.2伏；

DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在1.8V左右；

而DDR3内存的工作电压只有1.5V左右。

具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循SDRAM内存3.3伏、DDR SDRAM内存2.5伏、DDR2 SDRAM、DDR3SDRAM内存1.8伏的基本要求，在允许的范围内浮动。略微提高内存电压，有利于内存超频，但是同时发热量大大增加，因此有损坏硬件的风险。